SRAM
Static Random Access Memory (SRAM), o
Memoria Estática de Acceso Aleatorio es un tipo de memoria basada en
semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM, es capaz de mantener los
datos, mientras esté alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Sin
embargo, sí son memorias volátiles, es decir que pierden la información si se
les interrumpe la alimentación eléctrica.
Estas memorias son de Acceso Aleatorio, lo
que significa que las posiciones en la memoria pueden ser escritas o leídas en
cualquier orden, independientemente de cual fuera la última posición de memoria
accedida. Cada bit en una SRAM se almacena en cuatro transistores, que forman
un biestable. Este circuito biestable tiene dos estados estables, utilizados
para almacenar (representar) un 0 o un 1. Se utilizan otros dos transistores
adicionales para controlar el acceso al biestable durante las operaciones de
lectura y escritura. Una SRAM típica utilizará seis MOSFET para almacenar cada
bit. Adicionalmente, se puede encontrar otros tipos de SRAM, que utilizan ocho,
diez, o más transistores por bit.1 2 3 Esto es utilizado para implementar más
de un puerto de lectura o escritura en determinados tipos de memoria de video.
La memoria SRAM es más cara, pero más
rápida y con un menor consumo (especialmente en reposo) que la memoria DRAM. Es
utilizada, por tanto, cuando es necesario disponer de un menor tiempo de
acceso, o un consumo reducido, o ambos. Debido a su compleja estructura
interna, es menos densa que DRAM, y por lo tanto no es utilizada cuando es
necesaria una alta capacidad de datos, como por ejemplo en la memoria principal
de los computadores personales. Hay tres Tipos:
Async SRAM: La memoria caché de los
antiguos 386, 486 y primeros Pentium, asíncrona. Integrado de silicio de
soluciones ha anunciado el lanzamiento de un innovador 8Mbit de alta velocidad
SRAM asíncrona monolítica compatible con versiones anteriores. Este dispositivo
está disponible en varios paquetes incluyendo un TSOP que es compatible con el
estándar de la industria SRAM de 4 Mbits, con la excepción de la
línea de
dirección adicional. Estos de alta velocidad, dispositivos de baja potencia
operar en el rango de 3.3V.
Sync SRAM: Es la generación siguiente,
capaz de sincronizarse con el procesador y con una velocidad entre 12 y 8,5 ns.
Pipelined SRAM: Se sincroniza también
con el procesador, pero tarda en cargar los datos más que la anterior, aunque
una vez cargados accede a ellos con más rapidez. Opera a velocidades entre 8 y
4,5 ns.
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