Memoria
RAM:
es un tipo de memoria que permite almacenar y/o extraer información (Lectura/Escritura), accesando aleatoriamente; es decir, puede acceder a cualquier punto o dirección del mismo y en cualquier momento (no secuencial),se compone de uno o más chips y se utiliza como memoria de trabajo para guardar o borrar nuestros programas y datos. Es un tipo de memoria temporal que pierde sus datos cuando el computador se queda sin energía.
Técnicos
de memoria
Tiempo
de Latencia: Es el tiempo que necesita el procesador para acceder a todas las
direcciones y actualizar su contenido, este tiempo se puede emplear en
diferentes ciclos del microprocesador.
Tiempo
de acceso:
Es el
tiempo que transcurre desde el instante en que se lanza la operación de lectura
en la memoria y el instante en que se dispone de la primera información
buscada. En la memoria principal, este tiempo es, en principio, independiente
de la dirección en la que se encuentre la información a la cual queremos
acceder.
Buffer
de datos: es una ubicación de la memoria en una computadora o en un instrumento
digital reservada para el almacenamiento temporal de información digital,
mientras que está esperando ser procesada.
Paridad:
Consiste en añadir a la (edo o bedo) un chip que realiza una operación con los
datos cuando entran en el chip y otra cuando salen.
Estructura
física de la memoria
DRAM:
aparece en forma de DIMM o de SIMM, siendo estos últimos de 30 contactos.
Fast
Page (FPM): aparece como SIMM de 30 ó 72 contactos (los de 72 en los Pentium y
algunos 486).
EDO:
aparece como SIMM de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMM de 168.
SDRAM:
se presenta en forma de DIMM de 168 contactos; es usada en los Pentium II de
menos de 350 MHz y en los Celeron.
Memoria
RAM, Volátil: es aquella memoria cuya información se pierde al interrumpirse el
flujo de corriente eléctrica.
Memoria
RAM, Aleatoria: Se llama de acceso aleatorio porque el procesador accede a la
información que está en la memoria en cualquier punto sin tener que acceder a
la información anterior o posterior.
Tipos
de memoria RAM síncronas
En
una computadora, la SRAM síncrona opera con la misma señal de reloj que opera el
microprocesador, con lo que se consigue una operación mas rápida. • Caché ->
Una de las mayores aplicaciones de las SRAMs.
SDR
SDRAM: Memoria síncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se
presentan en módulos DIMM de 168 contactos.
RDRAM:
Es un tipo de memoria síncrona, conocida como Rambus DRAM. Éste es un tipo de
memoria de siguiente generación a la DRAM en la que se ha rediseñado la DRAM
desde la base pensando en cómo se debería integrar en un sistema.
XDR2
DRAM: Es un tipo de memoria de acceso aleatorio dinámico que se ofrece por
Rambus. DRAM XDR2 se destina para el uso en gama alta de tarjetas gráficas y
equipos de red.
DRDRAM:
Una tecnología desarrollada y autorizada por la Corporación de Rambus, es la
última versión y se espera que ayude a acelerar el crecimiento de las
interfaces visualmente intensivas, tales como 3-D , juegos interactivos, y
streaming multimedia. Rambus está destinada a sustituir la tecnología actual de
la memoria principal de la memoria dinámica de acceso aleatorio
Pipelined
SRAM: Se sincroniza también con el procesador, pero tarda en cargar los datos
más que la anterior, aunque una vez cargados accede a ellos con más rapidez.
Opera a velocidades entre 8 y 4,5 ns
VRAM:
Es como la memoria RAM normal, pero puede ser accedida al mismo tiempo por el
monitor y por el procesador de la tarjeta gráfica, para suavizar la
presentación gráfica en pantalla, es decir, se puede leer y escribir en ella al
mismo tiempo.
Memoria
RAM, asíncrona
su
operación no está sincronizada con el reloj del sistema. Diagrama lógico para
una SRAM Asíncrona de 32k x 8 -> Organización Básica de la SRAM Asíncrona
DRAM
(Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria dinámica de acceso
aleatorio que se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros
dispositivos, como memoria principal del sistema.
FPM-RAM
Siglas
de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseño más comun de chips de
RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de
coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era leido pulsando la
fila y la columna de las líneas seleccionadas.
EDO RAM
Se trata de una memoria más rápida, ya que incorpora un caché interno que agiliza la transferencia entre el micro y la RAM.
BEDO RAM
(Burst Extended Data Output). Es un tipo más rápido de EDO que
mejora la velocidad usando un contador de dirección para las siguientes
direcciones y un estado ‘pipeline’ que solapa las operaciones.
Módulos de memoria RAM
DIP:
Es un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de memoria en una
caja rectangular con dos filas de pines de conexión en cada lado.
RIMM:
designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una tecnología denominada
RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los años 1990 con el fin de
introducir un módulo de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los
módulos de memoria SDRAM de 100 Mhz y 133 Mhz disponibles en aquellos años.
DIMM:
Es un tipo de encapsulado, consistente en una pequeña placa de circuito impreso
que almacena chips de memoria por lo menos de 168 contactos.
SIPP:
consiste en un circuito impreso (también llamado módulo) en el que se montan
varios chips de memoria RAM, con una disposición de pines correlativa (de ahí
su nombre). Tiene un total de 30 pines a lo largo del borde del circuito, que
encajan con las ranuras o bancos de conexión de memoria de la placa base del
ordenador, y proporcionan 4 bits por módulo.
Módulos
RAM para portátiles
SO-DIMM:
consisten en una versión compacta de los módulos DIMM convencionales. Debido a
su tamaño tan compacto, estos módulos de memoria suelen emplearse en
computadores portátiles, PDAs y notebooks.
MICRODIMM:
comprende una serie de memoria dinámica de acceso aleatorio de circuitos
integrado. Estos módulos están montados sobre una placa de circuito impreso y
diseñado para su uso en ordenadores personales , las estaciones de trabajo y
servidores.
SO-RIMM: (Contorno pequeño Autobús del ESPOLÓN en la
LÍNEA MEMORIA de módulos) el módulo de la memoria se basa en ESPOLÓN-
Tecnología, particularmente para Cuadernos y otras computadoras portables una
desarrolladas. Los módulos son substancialmente más compactos por lo tanto que
RIMM y tienen 160 contactos.
Memorias
Asíncronas
DRAM:
es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que se usa principalmente en
los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del
sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se
requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de
refresco.
FPM-RAM:
se basa en que se supone que el siguiente acceso a un dato de memoria va a ser
en la misma fila que el anterior, con lo que se ahorra tiempo en ese caso.
EDO-RAM:
permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están
saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o
menos).Muy común en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 ó 50 ns.
Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs
de 168.
BEDO-RAM: Es una evolución de la EDO RAM la
cual compite con la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una
vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los
tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada
uno de ellos, reduciendo los tiempos de
espera del procesador.
Memorias
Síncronas:
SDR RAM: es una memoria dinámica de acceso
aleatorio DRAM que tiene una interfaz síncrona. Tradicionalmente, la memoria
dinámica de acceso aleatorio DRAM tiene una interfaz asíncrona, lo que
significa que el cambio de estado de la memoria tarda un cierto tiempo, dado
por las características de la memoria, desde que cambian sus entradas.
PC66: se refiere al interior extraíble equipo
de memoria estándar definido por el JEDEC . PC66 es DRAM síncrona que funciona
a una frecuencia de reloj de 66.66 MHz, en un bus de 64 bits, a una tensión de
3,3 V. PC66 está disponible en el pin 168 DIMM de 144 pines y el SO-DIMM de
factores de forma. El ancho de banda teórico es de 533 MB / s.
PC100: es un estándar para interna
desmontable ordenador memoria de acceso aleatorio , que se define por la JEDEC
. PC100 se refiere a la DRAM síncrona que funciona a una frecuencia de reloj de
100 MHz, en un bus de 64 bits de ancho, a una tensión de 3,3 V. PC100 está
disponible en 168-pinDIMM y 144 pines SO-DIMM de factores de forma . PC100 es
compatible con PC66 y fue reemplazado por el PC133 estándar.
DDR
SDRAM: significa doble tasa de transferencia de datos en español. Son módulos
de memoria RAM compuestos por memorias sincrónicas (SDRAM), disponibles en
encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales
distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDR soportan
una capacidad máxima de 1 GiB (1 073 741 824 bytes).
PC1600: PC 1600 (Transferencia max de 1600MB/s) que
trabaja a 100MHz.
PC2100: PC 2100 (Transferencia max de 2133MB/s) y
trabaja a 133MHz.
PC2700:
funciona a 2.5 V, trabaja a 333MHz, es decir 166MHz de bus de memoria y ofrece
tasas de transferencia de hasta 2,7 GB/s (de ahí el nombre PC2700).
PC2300:
funciona a 2.5V, trabaja a 400MHz, es decir, 200MHz de bus de memoria y ofrece
tasas de transferencia de hasta 3,2 GB/s (de ahí el nombre PC3200).
PC4200:
trabaja a 533Mhz, es decir, 266 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de
transferencia de hasta 4,2 GB/s (de ahí el nombre PC4200).
PC4800:
trabaja a 600Mhz, es decir, 300 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de
transferencia de hasta 4,8 GB/s (de ahí el nombre PC4800).
PC5300:
trabaja a 667Mhz, es decir, 333 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de
transferencia de hasta 5,3 GB/s (de ahí el nombre PC5300).
PC6400:
trabaja a 800Mhz, es decir, 400 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de
transferencia de hasta 6,4 GB/s (de ahí el nombre PC6400).
DDR3:
es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías de
memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la
SDRAM.
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jueves, 9 de febrero de 2012
MEMORIA RAM
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